diff --git a/README.md b/README.md index 1e72a47..c97151d 100644 --- a/README.md +++ b/README.md @@ -4,6 +4,8 @@ ## 1、介绍([English](#1-introduction)) +> **提示** :从 EasyFlash V4.1 后,基于 EasyFlash 全新设计开发的 [FlashDB](https://github.com/armink/FlashDB) 开源项目正式上线,新集成了时序数据库、多分区管理,多数据库实例等功能,也从一定程度上提升了整体性能,欢迎关注:https://github.com/armink/FlashDB 。同时,现有的 EasyFlash 也会继续维护。 + [EasyFlash](https://github.com/armink/EasyFlash)是一款开源的轻量级嵌入式Flash存储器库,方便开发者更加轻松的实现基于Flash存储器的常见应用开发。非常适合智能家居、可穿戴、工控、医疗、物联网等需要断电存储功能的产品,资源占用极低,支持各种 MCU 片上存储器。该库主要包括 **三大实用功能** : - **ENV** 快速保存产品参数,支持 **写平衡(磨损平衡)** 及 **掉电保护** 功能 @@ -18,7 +20,13 @@ EasyFlash不仅能够实现对产品的 **设定参数** 或 **运行日志** 非常适合应用在小型的不带文件系统的产品中,方便开发人员快速定位、查找系统发生崩溃或死机的原因。同时配合[EasyLogger](https://github.com/armink/EasyLogger)(我开源的超轻量级、高性能C日志库,它提供与EasyFlash的无缝接口)一起使用,轻松实现C日志的Flash存储功能。 -### 1.1、V4.0 NG 模式 +### 1.1 两种 ENV 模式 + +目前 ENV 功能有两种主要模式,一种为 V4.0 带来的 **NG** 模式,还有一种为延续 V3.0 的 **legacy** 模式 + +#### 1.1.1、V4.0 引入的 NG 模式 + +> 对应源码文件为: `ef_env.c` 自 2019 年春节后,EasyFlash 经过 4 年多的迭代,结合众多开发者的需求及建议,终于发布了 V4.0 版本,该版本中的 ENV 功能被命名为 **NG** (Next Generation) 模式,这是一个完全重构的新版本,具有以下新特性: @@ -33,6 +41,26 @@ EasyFlash不仅能够实现对产品的 **设定参数** 或 **运行日志** V4.0 设计及内部原理,V4.0 迁移指南等更多内容请继续阅读下面的 [文档章节](#3文档) +> **注意** :个别 Flash 存在无法逆序写入的问题,例如 STM32L4 片内 Flash,所以无法使用 NG 模式,这种情况下建议使用 V3.0 的 legacy 模式 + +#### 1.1.2、延续 V3.0 的 legacy 模式 + +> 对应源码文件为: `ef_env_legacy.c` 及 `ef_env_legacy_wl.c` + +**legacy** 模式也具有磨损平衡及掉电保护功能,相比于 V 4.0 NG 模式,使用 legacy 模式,需要有额外的 RAM 空间来临时缓存每个 ENV ,最终调用 save 接口,统一擦除扇区再存储到 Flash 上。 + +#### 1.1.3 ENV 模式对比 + +| | V4.0 NG 模式 | V3.0 legacy 模式 | +| -------------------- | ------------------------------------------ | ------------------------ | +| RAM 资源占用 | 低 | 高 | +| 支持 Flash 全面性 | 个别 Flash 受限:例如 STM32L4 片内 | 比较全面 | +| 是否需要 GC 垃圾回收 | 需要 GC ,这会导致触发 GC 时,写入速度变慢 | 不需要 | +| value 类型限制 | 无限制 | 对字符串类型支持的比较好 | +| 掉电保护 | 支持 | 支持 | +| 磨损平衡 | 支持 | 支持 | +| 增量升级 | 支持 | 支持 | + ### 1.2、资源占用 ```