Signed-off-by: armink <armink.ztl@gmail.com>
11 KiB
EasyFlash 移植说明
1、下载源码
点击此链接即可直接下载位于Github上的源码。
建议:点击项目主页 https://github.com/armink/EasyFlash 右上角 Watch & Star,这样项目有更新时,会及时以邮件形式通知你。
如果Github下载太慢,也可以点击项目位于的国内仓库下载的链接(OSChina|Coding)。
2、导入项目
在导入到的项目前,先打开\demo
文件夹,检查下有没有与项目Flash规格一致的Demo。如果有则先直接跳过2、3、4章节,按照第5章的要求设置参数,并运行、验证Demo。验证通过再按照下面的导入项目要求,将Demo中的移植文件直接导入到项目中即可。
- 1、先解压下载好的源码包,文件的目录结构大致如下:
源文件 | 描述 |
---|---|
\easyflash\src\ef_env.c | Env(常规模式)相关操作接口及实现源码 |
\easyflash\src\ef_env_wl.c | Env(磨损平衡模式)相关操作接口及实现源码 |
\easyflash\src\ef_iap.c | IAP 相关操作接口及实现源码 |
\easyflash\src\ef_log.c | Log 相关操作接口及实现源码 |
\easyflash\src\ef_utils.c | EasyFlash常用小工具,例如:CRC32 |
\easyflash\src\easyflash.c | 目前只包含EasyFlash初始化方法 |
\easyflash\port\ef_port.c | 不同平台下的EasyFlash移植接口及配置参数 |
\demo\env\stm32f10x\non_os | stm32f10x裸机的Env demo |
\demo\env\stm32f10x\rtt | stm32f10x基于RT-Thread的Env demo |
\demo\env\stm32f4xx | stm32f4xx基于RT-Thread的Env demo |
\demo\iap\ymodem+rtt.c | 使用RT-Thread+Ymodem的IAP Demo |
\demo\log\easylogger.c | 基于EasyLogger的Log Demo |
- 2、将
\easyflash
(里面包含inc
、src
及port
的那个)文件夹拷贝到项目中; - 3、添加
\easyflash\src\easyflash.c
、\easyflash\src\ef_utils.c
及\easyflash\port\ef_port.c
这些文件到项目的编译路径中; - 4、根据项目需求,选择性添加
\easyflash\src
中的其他源码文件到项目的编译路径中; - 5、添加
\easyflash\inc
文件夹到编译的头文件目录列表中;
3、Flash规格
在移植时务必先要了解项目的Flash规格,这里需要了解是规格是 最小擦除单位 及 内部存储结构 ,各个厂家的Flash规格都有差异,同一厂家不同系列的规格也有差异。例如:stm32f10x系列中的大容量MCU自带Flash的页大小均为2K,而中小容量的页大小均为1K。在stm32f4xx系列中,每个页大小不是像stm32f10x那样平均分配,最大的有128K,最小的有16K。
注意:务必保证熟悉Flash规格后,再继续下章节。
4、移植接口
4.1 移植初始化
EasyFlash移植初始化。可以传递默认环境变量,初始化EasyFlash移植所需的资源等等。
EfErrCode ef_port_init(ef_env const **default_env, size_t *default_env_size)
参数 | 描述 |
---|---|
default_env | 默认的环境变量 |
default_env_size | 默认环境变量的数量 |
4.2 读取Flash
最小单位为4个字节
EfErrCode ef_port_read(uint32_t addr, uint32_t *buf, size_t size)
参数 | 描述 |
---|---|
addr | 读取起始地址 |
buf | 存放读取数据的缓冲区 |
size | 读取数据的大小(字节) |
4.3 擦除Flash
EfErrCode ef_port_erase(uint32_t addr, size_t size)
参数 | 描述 |
---|---|
addr | 擦除起始地址 |
size | 擦除数据的大小(字节) |
4.4 写入Flash
最小单位为4个字节
EfErrCode ef_port_write(uint32_t addr, const uint32_t *buf, size_t size)
参数 | 描述 |
---|---|
addr | 写入的起始地址 |
buf | 源数据的缓冲区 |
size | 写入数据的大小(字节) |
4.5 对环境变量缓冲区加锁
为了保证RAM缓冲区在并发执行的安全性,所以需要对其进行加锁(如果项目的使用场景不存在并发情况,则可以忽略)。有操作系统是可以使用获取信号量来加锁,裸机时可以通过关闭全局中断来加锁
void ef_port_env_lock(void)
4.6 对环境变量缓冲区解锁
有操作系统是可以使用释放信号量来解锁,裸机时可以通过开启全局中断来解锁
void ef_port_env_unlock(void)
4.7 打印调试日志信息
在定义PRINT_DEBUG
宏后,打印调试日志信息
void ef_log_debug(const char *file, const long line, const char *format, ...)
参数 | 描述 |
---|---|
file | 调用该方法的文件 |
line | 调用该方法的行号 |
format | 打印格式 |
... | 不定参 |
4.8 打印普通日志信息
void ef_log_info(const char *format, ...)
参数 | 描述 |
---|---|
format | 打印格式 |
... | 不定参 |
4.9 无格式打印信息
该方法输出无固定格式的打印信息,为ef_print_env
方法所用(如果不使用ef_print_env
则可以忽略)。而ef_log_debug
及ef_log_info
可以输出带指定前缀及格式的打印日志信息。
void ef_print(const char *format, ...)
参数 | 描述 |
---|---|
format | 打印格式 |
... | 不定参 |
5、设置参数
配置时需要修改项目中的ef_cfg.h
文件,开启、关闭、修改对应的宏即可。
5.1 环境变量功能
- 默认状态:开启
- 操作方法:开启、关闭
EF_USING_ENV
宏即可
5.1.1 磨损平衡/常规 模式
磨损平衡:由于flash在写操作之前需要擦除且使用寿命有限,所以需要设计合理的磨损平衡(写平衡)机制,来保证数据被安全的保存在未到擦写寿命的Flash区中。
- 默认状态:常规模式
- 常规模式:关闭
FLASH_ENV_USING_WL_MODE
- 磨损平衡模式:打开
EF_ENV_USING_WL_MODE
5.1.2 掉电保护
掉电保护:Power Fail Safeguard,当此项设置为可用时,如果在环境变量保存过程中发生掉电,已保存在Flash中的环境变量将不会有丢失的危险。下次上电后,环境变量将会被自动还原至之前的状态。(注意:本保护是基于软件实现的保护功能,更加可靠的掉电保护功能需要通过硬件来实现)
- 默认状态:关闭
- 操作方法:开启、关闭
EF_ENV_USING_PFS_MODE
宏即可
5.2 在线升级功能
- 默认状态:开启
- 操作方法:开启、关闭
EF_USING_IAP
宏即可
5.3 日志功能
- 默认状态:开启
- 操作方法:开启、关闭
EF_USING_LOG
宏即可
5.4 Flash最小擦除单位
- 操作方法:修改
EF_ERASE_MIN_SIZE
宏对应值即可
5.5 备份区
备份区共计包含3个区域,依次为:环境变量区、日志区及在线升级区。分区方式如下图所示
在配置时需要注意以下几点:
- 1、所有的区域必须按照
EF_ERASE_MIN_SIZE
对齐; - 2、由于EasyFlash对所有的环境变量都会使用RAM缓存,但是在更多时候用户使用的环境变量大小会比
EF_ERASE_MIN_SIZE
小,所以需要再定义ENV_USER_SETTING_SIZE
来指定用户设定的环境变量大小。 - 3、环境变量区总容量在不同的模式下会有差异
- 1、常规模式:没有差异;
- 2、擦写平衡模式:系统区将会占用1个
EF_ERASE_MIN_SIZE
大小,数据区至少等使用2个以上Flash扇区; - 3、掉电保护模式:环境变量区将会被备份,所以总容量是常规模式的2倍;
- 4、擦写平衡+掉电保护模式:系统区将会占用1个
EF_ERASE_MIN_SIZE
大小,数据区将会是擦写平衡模式下的数据区总容量的2倍。 - 例如:
EF_ERASE_MIN_SIZE
是128K,ENV_USER_SETTING_SIZE
是2K,那么你可以这样定义不同模式下的环境变量总容量: - 1、常规模式:
1*EF_ERASE_MIN_SIZE
; - 2、擦写平衡模式:
3*EF_ERASE_MIN_SIZE
(它将会有2个Flash扇区去存储环境变量,按照每个Flash扇区可被擦写10W次计算,那么当前配置至少可擦写20W次); - 3、掉电保护模式:
2*EF_ERASE_MIN_SIZE
; - 4、擦写平衡+掉电保护模式:
5*EF_ERASE_MIN_SIZE
;
5.5.1 备份区起始地址
- 操作方法:修改
EF_START_ADDR
宏对应值即可
5.5.2 用户设定环境变量大小
- 操作方法:修改
ENV_USER_SETTING_SIZE
宏对应值即可
注意:不使用环境变量功能时,可以不定义此宏。
5.5.3 环境变量区总容量
- 操作方法:修改
ENV_AREA_SIZE
宏对应值即可
注意:不使用环境变量功能时,可以不定义此宏。
5.5.4 日志区总容量
- 操作方法:修改
LOG_AREA_SIZE
宏对应值即可
注意:不使用日志功能时,可以不定义此宏。
5.6 调试日志
开启后,将会库运行时自动输出调试日志
- 默认状态:开启
- 操作方法:开启、关闭
PRINT_DEBUG
宏即可
6、测试验证
如果\demo
文件夹下有与项目Flash规格一致的Demo,则直接编译运行,观察测试结果即可。无需关注下面的步骤。
每次使用前,务必先执行easyflash_init
方法对EasyFlash库及所使用的Flash进行初始化,保证初始化没问题后,再使用各功能的API方法。如果出现错误或断言,需根据提示信息检查移植配置及接口。
6.1 环境变量
查看\demo\env
文件夹中例子的readme.md
说明文档。测试时可以将\demo\env\stm32f10x\non_os\app\src\app.c
中的static void test_env(void)
复制到项目中,然后运行测试。
6.2 在线升级
查看\demo\iap
文件夹中的readme.md
说明文档。
6.3 日志
查看\demo\log
文件夹中的readme.md
说明文档。
注意:
easylogger.c
是使用EasyLogger与EasyFlash的无缝接口的例子,EasyLogger提供针对日志的很多常用功能封装,详细功能可以查看其介绍。使用这个例子时,务必记得将EasyLogger一并导入到项目中。